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微纳分析实验室
发布时间:2011-12-13浏览次数:

 

X射线衍射仪
(X-RAY Diffractometer
简介:
D8 ADVANCE衍射仪为当前最先进的XRD系统。能够精确地对金属和非金属多晶粉末样品进行物相检索分析、物相定量分析、宏观应力、织构分析,薄膜分析及微区测量分析等
 
主要设备参数(技术指标)
 
最大输出功率:3 kW
扫描方式:q/q测角仪
可读最小步长:0.0001°
角度重现性:0.0001°
林克斯半导体阵列探测器
织构与应力附件
 

 

 

纳米压痕仪(Nano Indenter

 

 

设备简介

安捷伦公司生产的NANO Indenter G200型纳米压痕仪能通过实时记录力和对应位移深度的曲线来测量纳米或微米级薄膜材料力学性能。该仪器不仅提供纳米压痕功能,同时也提供纳米划痕功能和台阶仪功能,即不仅可以满足薄膜硬度、弹性模量等性能的测量,还可实现薄膜与基体之间的结合力和定量表面形貌的测量。
 
 

 

 

设备性能指标

1) 纳米压痕测试功能
压头总的位移范围                                   ³1.5mm
最大压痕深度                                          ³500m
位移分辨率                                             £0.01nm
加载模式                                                 电磁力加载
位移测量                                                 三片电容位移传感器
最大载荷                                                 ³500mN
载荷分辨率                                             £50nN
最小接触力                                             £1.0mN
仪器框架刚度                                          ³5x106 N/m
更换压头时间                                          £ 60s
内置一个Berkovich 金刚石压头,顶部曲率半径: £ 20nm
符合ISO 14577-1,2,3国际标准
实时温度测量、采集并显示
2) 划痕测试功能
该部分硬件应包括X方向和Y方向两个摩擦力传感器和控制系统。
系统能够扫描并显示试样表面任意方向的轮廓图,实现台阶仪功能。
系统能够执行线性变载或恒定载荷模式下的划痕测试,并自动给出薄膜与基底材料之间的临界附着力,摩擦力和摩擦系数,划痕深度、划痕宽度、凸起高度以及材料的粘弹性恢复等力学性能。主要技术参数如下:
最大划痕力(Z方向)                                  ³500 mN
最大摩擦力(X和Y方向)                          ³250 mN
摩擦力分辨率(X和Y方向)                       £2 mN
摩擦力的典型噪音水平(X和Y方向)    £50 mN
最大划擦深度                                               ³500 mm
最大划痕长度                                               ³100mm
最大划痕速度                                               ³100mm/s
 

 

探针台/参数分析仪
Probe Station/Semicondutor characterization system

 

设备简介

   本设备为Cascade M150手动探针台及Keithley 4200 半导体参量分析仪联机测试系统。探针台为手动型,样品可真空吸附;基座可加偏压,满足MOSFET等器件测试需要;带四个探针座,分别配有4套高精度探针及4套低精度探针,满足高端科研需求及一般教学过程中的实验要求;高精度探针可进行Kelvin连接进行测试,可最大限度减少系统噪声。

   Keithley 4200参数分析仪配有3个中功率SMU模块,1个CVU模块,可进行各种材料电流/电压曲线、电容/电压曲线等的测试;系统带有庞大的软件功能,可进行各种器件参数的提取,并配有几十种模块化的测量示例,针对热门研究领域如太阳能电池、碳纳米管FET器件等提供测量及参数提取的示例操作。
 

 

主要设备参数(技术指标):

   探针台基座尺寸为6英寸,显微镜系统配有一个长焦距镜头,最大放大倍数可达1000倍。
   参数分析仪最小电压分辨率为 1uV, 电流分辨率为0.1 fA。
   半导体参数测量仪主机,含两个高分辨率中功率4200-SMU(源测量单元,最大电压210V,电流100mA),含全套KITE7.2版本测试软件,Windows XP工作平台,嵌入式PC机。2个中功率测试模块,电压210V-1μV,电流100mA-100fA,功率2W。1个电容-电压测试模块,频率范围1KHz-10MHz。